NUST موپسوئست : un nouveau matériau à base de graphène پور prolonger la vie des périphériques د stockage

MOSCOU, 8 février 2020 /PRNewswire/ — Un groupe international de scientifiques russes et japonais یک mis au point سازمان ملل متحد matériau qui augmentera considérablement لا densité d’enregistrement des périphériques د stockage de données, tels que les disques SSD et les clés USB. L’un des avantages majeurs د م matériau est de ne présenter aucune limite de réécriture, ce qui permettra d’implémenter د قهرمانان périphériques pour les processus de داده های بزرگ. L’article portant recherches sur ces est paru dans la revue مواد پیشرفته.

Il est de plus en plus فوری ده mettre au point des périphériques mémoire فشردگی et solides. Dans les périphériques traditionnels les informations sont aujourd aujourd’hui transmises par le biais du کورانت électrique – les exemples les plus courants étant les cartes فلش disques et les SSD. En parallèle, les utilisateurs rencontrent immanquablement des problèmes : un fichier ne peut pas être sauvegardé correctement سازمان ملل متحد ordinateur ne peut به همراه “reconnaître” une clé USB, et il faut des périphériques de taille, plutôt importante پور enregistrer une grande, quantité de données.

لا spintronique پیشنهادات اونه جایگزین prometteuse à l’électronique. Dans le domaine de la spintronique les périphériques fonctionnent selon le principe de la magnétorésistance : il y a trois نیمکتها و لا هنوز et la troisième étant ferromagnétiques et کلل du milieu غیر magnétique. En traversant cette ساختار ” en ساندویچ “, les électrons en fonction de leur چرخش (ou propriété quantique), sont dispersés différemment sur les نیمکتها magnétisées en périphérie, ce qui a une نفوذ sur la résistance de l’appareil. Il est ممکن است ده contrôler les informations à l’aide des بیت logiques استانداردهای 0 و 1 en détectant اونه تقویت ou une کاهش de cette résistance.

Un groupe international de scientifiques issus de l’université nationale des Sciences et Technologie موپسوئست (Russie) et de l’institut national des Sciences et Technologies quantiques et radiologiques (Japon) یک mis au point سازمان ملل متحد matériau qui peut considérablement augmenter la capacité de mémoire magnétique des périphériques en augmentant leur densité d’enregistrement. Les scientifiques ont combiné du graphène et l’alliage نیمه métallique د Heusler Co2FeGaGe.

“Pour la هنوز fois, des, collègues japonais ont développé اونه couche د graphène à un atome sur une couche د matériau ferromagnétique نیمه métallique avant d’en mesurer les propriétés. L l’équipe japonaise, dirigée par le Dr Yamanaka سکی, mène des expériences uniques tandis que برگشتن groupe s’applique à réaliser une description théorique des données produites. Nos équipes collaborent depuis de nombreuses années et ont obtenu سازمان ملل متحد خاصی nombre de résultats importants “, a déclaré پاول SorokinDr sc. en فیزیک و بنیه بدن et mathématiques, responsable du projet d’infrastructure “علم des matériaux théorique des نانوساختارهای” au آزمایشگاه des nanomatériaux inorganiques de la NUST موپسوئست.

لو graphène n’était auparavant پاس utilisé dans les périphériques mémoire magnétiques خودرو, les atomes de carbone réagissaient avec la couche magnétique, provoquant des changements dans ses propriétés. En choisissant minutieusement لا ترکیب de l’alliage د Heusler et les méthodes d ‘ il a été ممکن است ده créer un échantillon به همراه باله que les précédents, ce qui permettra ensuite d’augmenter considérablement la capacité des périphériques mémoire magnétiques sans accroître leur taille بدن.

Les scientifiques prévoient ensuite mettre de l’échantillon expérimental à l’échelle et d’en لا اصلاح ساختار است.

منبع : https://en.misis.ru/university/news/science/2020-01/6501/

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منبع دانشگاه ملی علوم و فناوری موپسوئست

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